Galaxy S23とみられる端末がGeekbenchに登場、Snapdragon 8 Gen 2のスペックが明らかに

サムスンの次期主力フラグシップとなるGalaxy S23(仮称)がベンチマークサイトであるGeekbench Browserに初めて登場しました。

SM-S911Uが登場

現れたのはSM-S911Uで、例年の法則に従えば米国版Galaxy S23とみられます。

メモリは8GBで、少なくとも開発段階においては8GBモデルが存在することになります。

スコアはシングルが1500点、マルチが4500点という結果になっており、発売前の調整中と思われる段階ですらSnapdragon 8 Gen 1・同8+ Gen 1よりも大幅にスコアが向上しています。

今後スコアが前後する可能性はありますが、かなりの性能向上に期待して良いかもしれません。

例年通りであれば米国にはQualcomm製のSnapdragonが搭載されたGalaxy Sシリーズが搭載されます。

またマザーボード名やガバナー名から推測しても、このプロセッサはSnapdragon 8 Gen 2(仮称)でほぼ間違いないとみられます。

本端末のCPU情報を詳しく見てみると

と記載されており、以前リークされていた高効率コアが3個の変則構成になるという情報と合致します。

また最も高いパフォーマンスを発揮するプライマリコアが3.4GHzに近い周波数となっていることからも、過去のリークは概ね正しそうです。

ただしGalaxyにおいてクロック数を変更している可能性もあり、同プロセッサのスペックが上記であると断定できない点には注意が必要です(サムスンは最大2.45GHzのSnapdragon 835を2.35GHzに抑えて搭載した実績あり)。

全体的に非常に周波数が高くなっていることからパフォーマンスは確実に高くなっていると言えそうですが、その反面発熱が心配です。Snapragon 8 Gen 2は発熱を抑える方向にシフトしたという噂も上がっていましたが、引き続きパフォーマンスの向上に重きを置いているのかもしれません。

ただし実際の電力効率や発熱といったパフォーマンスは、それぞれの実機を確認しない限り分かりません。

今後リリースされるXiaomi 13シリーズやGalaxy S23シリーズなど、Snapdragon 8 Gen 2搭載ハイエンドの実力に期待です。

画像・参考