以前よりExynos 2200搭載のみと予測されていたGalaxy S23 FE(仮称)ですが、Sapdragon搭載モデルの存在が確認されました。
米国向けはSnapdragon 8 Gen 1搭載か
Galaxy S23 FEのSIMフリー(オープン市場)版に相当するモデル型番、SM-S711U1がGeekbench Browserに登場しました。
マザーボード名にQualcommのプロセッサを示す「taro」といコードネームが記載されていることから、Galaxy S23 FEにもSnapdragon搭載モデルが存在しているようです。
そしてこれは周波数からSnapdragon 8 Gen 1であると推定されます。
Snapdragon 8+ Gen 1(低クロック版)であるとする説も浮上していますが、省電力コアの周波数が1.79GHzとなっていることから、Snapdragon 8 Gen 1でほぼ間違いないとみられます。
ちなみにSnapdragon 8+ Gen 1(低クロック版)の場合は1.80GHzと記載されます。
原則Exynos 2200搭載に
とはいえ、原則的にExynos 2200搭載となることは間違いなさそうです。
Galaxy S23 FEのグローバル(RoW)版に相当するSM-S711BについてもGeekbench Browserに登場しており、これはExynos 2200(S5E9925)を搭載することが分かっています。
末尾B型番のモデルは、法則に従えば東アジアと北米以外の多くの地域で投入される型番です。そのため基本的にはExynos 2200搭載モデルが販売されることになる見込みです。
なお、噂されているGalaxy S23 FEのスペックは
- Exynos 2200またはSnapdragon 8 Gen 1搭載
- 6GBまたは8GBのメモリ
- 128GBまたは256GBのストレージ
- 6.4インチ FHD+ディスプレイ(120Hzリフレッシュレート)
- 4500mAhバッテリー
- 少なくとも25Wの有線急速充電
- 50MPのメインカメラ
などがあります。
Galaxy S23 FEに搭載されるExynos 2200はGalaxy S22シリーズに搭載されたものとは異なり、改良されたサムスンの4nmプロセスで製造されると言われています。
ファンの間ではSnapdragonのほうが優れているという評価が多くExynosは忌避されがちですが、改良に期待したいところです。
アイキャッチ画像:Smartprix
参考
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